Ученые разрабатывают ионотронную память

Новые возможности памяти

С помощью модифицированного трансмиссионного электронного микроскопа исследователи из финского Университета Аалто показали манипулирование свойствами материала.

Они осуществили одновременные визуализацию и измерения электрического сопротивления образца сложного оксида.

Опыт показал, что миграция ионов кислорода обратима и однородно меняет кристаллическую структуру этого материала.

Трансмиссионная электронная техника не позволяет активно манипулировать материалом внутри микроскопа. Ученые дополнили технику  специальным держателем образца с пьезоэлектрическим нанозондом.

Это позволило контролировать миграцию кислородных ионов короткими импульсами напряжения.

Ионотронную концепцию можно использовать для контроля других физических свойств сложных оксидов — магнитных, ферроэлектрических, сверхпроводящих.

Ученые планируют изучить на атомном уровне процессы, протекающие в  оптоэлектронных материалах.

Февраль 27th, 2017 by